时间：2023年8月28日（周一）上午9：00
地点：龙赛理科楼北楼228会议室
报告人：钱天 研究员（中国科学院物理研究所）
题目：单带Mott绝缘体Nb3Cl8和激子绝缘体Ta2Pd3Te5
摘要：之前对拓扑材料的理论和实验研究大多基于单电子能带理论，很少涉及关联效应。在这个报告中，我将介绍最近在拓扑材料中发现的两个典型的关联电子态，单带Mott绝缘体Nb3Cl8和激子绝缘体Ta2Pd3Te5。Nb3Cl8在费米能级处存在一支半填满的平坦能带，在位库仑相互作用远远超过电子动能，导致Mott转变。这支能带孤立于其它能带并且具有单轨道成分，可以被单带Hubbard模型理想地描述，是体现Mott物理的教科书式的例子。激子绝缘体由于同时存在电子和晶格的不稳定，其绝缘基态的起源很难被确认，目前提出的候选材料都存在很大的争议。我们结合理论计算、ARPES实验和结构分析确认了Ta2Pd3Te5中的绝缘基态起源于激子凝聚。
报告人简介：2001和2006年获得中国科学技术大学学士和博士学位，之后在韩国国立釜山大学和日本东北大学做博士后，2009年加入中科院物理所，现任EX7组课题组长。利用角分辨光电子能谱（ARPES）实验技术研究拓扑材料和关联体系的电子结构。研究成果入选“Physical Review”系列期刊125周年纪念论文集、中科院改革开放四十年40项标志性重大科技成果、国际物理学年度十大突破、国际物理学八大亮点工作、四次入选中国科学十大进展和中国十大科技进展新闻。在Nature/Science及子刊和PRX/PRL上合作发表论文32篇，其中通讯或第一作者论文19篇，在Rev. Mod. Phys.等期刊上合作撰写拓扑物态研究的综述。获得2020年中国科学院青年科学家奖、第四届Sir Martin Wood中国物理科学奖、国家自然科学奖二等奖（排名第四）、国家自然科学基金委优青和青年拔尖人才项目资助。

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